规格参数
| Product Status | Obsolete |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuration | N and P-Channel |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.8A, 4.3A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 45mOhm @ 5.8A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 520pF @ 25V |
| Power - Max | 2.5W |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
英飞凌科技 FET、MOSFET 阵列 产品 AUIRF7379Q产品描述
AUIRF7379Q 是由 英飞凌科技 制造的 FET、MOSFET 阵列 类电子元器件。MOSFET N/P-CH 30V 5.8A 8SOIC。该器件的核心参数包括：Product Status: Obsolete、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: N and P-Channel、FET Feature: Logic Level Gate、Drain to Source Voltage (Vdss): 30V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A, 4.3A。
AUIRF7379Q 共有 15 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（45mOhm @ 5.8A, 10V）、Vgs(th) (Max) @ Id（3V @ 250µA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（25nC @ 10V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（520pF @ 25V）、Power - Max（2.5W） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 英飞凌科技：**英飞凌科技（Infineon Technologies）：驱动未来电子世界的核心力量**
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