
规格参数
| Product Status | Obsolete |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuration | 2 P-Channel (Dual) Common Source |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 1A, 4.5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 900mV @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.2nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 310pF @ 10V |
| Power - Max | 800mW |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 9-UFBGA, WLBGA |
| Supplier Device Package | U-WLB1515-9 |
德利通 FET、MOSFET 阵列 产品 DMP2100UCB9-7产品描述
DMP2100UCB9-7 是由 德利通 制造的 FET、MOSFET 阵列 类电子元器件。MOSFET 2P-CH 20V 3A 9UWLB。该器件的核心参数包括:Product Status: Obsolete、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: 2 P-Channel (Dual) Common Source、FET Feature: Logic Level Gate、Drain to Source Voltage (Vdss): 20V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A。
DMP2100UCB9-7 共有 15 项技术参数,涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs(100mOhm @ 1A, 4.5V)、Vgs(th) (Max) @ Id(900mV @ 250µA)、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs(4.2nC @ 4.5V)、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds(310pF @ 10V)、Power - Max(800mW) 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书,获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 德利通:**Diodes Incorporated(德利通):赋能未来,驱动创新**
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