ECH8675-TL-H 安森美FET、MOSFET 阵列
安森美 FET、MOSFET 阵列 产品 ECH8675-TL-H
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规格参数
| Product Status | Obsolete |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuration | 2 P-Channel (Dual) |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.5A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 46mOhm @ 3A, 4.5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.3nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 670pF @ 10V |
| Power - Max | 1.5W |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 8-SMD, Flat Lead |
| Supplier Device Package | 8-ECH |
安森美 FET、MOSFET 阵列 产品 ECH8675-TL-H产品描述
ECH8675-TL-H 是由 安森美 制造的 FET、MOSFET 阵列 类电子元器件。MOSFET 2P-CH 20V 4.5A ECH8。该器件的核心参数包括：Product Status: Obsolete、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: 2 P-Channel (Dual)、FET Feature: Logic Level Gate、Drain to Source Voltage (Vdss): 20V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A。
ECH8675-TL-H 共有 14 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（46mOhm @ 3A, 4.5V）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（7.3nC @ 4.5V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（670pF @ 10V）、Power - Max（1.5W）、Operating Temperature（150°C (TJ)） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。
关于 安森美：安森美（onsemi）作为全球领先的能源高效创新驱动者，致力于赋能客户实现全球能源消耗的降低。公司凭借深厚的技术积淀和前瞻性的战略布局，为全球设计工程师提供全面、领先的**电子元器件**解决方案。安森美的主营产品线涵盖了广泛的**电子元件**类别，包括但不限于高性能的能源高效电源管理**IC芯片**、信号管理**IC芯片**、逻辑器件、分立器件以及定制化解决方案。这些**元器件**是现代电子产品不可或缺的组成部分，安森美通过其丰富的产品组合，有效应对客户在各种复杂设计挑战中遇到的难题。
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