FC6546010R 松下FET、MOSFET 阵列
松下 FC6546010R FET、MOSFET 阵列
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规格参数
| Product Status | Obsolete |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuration | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100mA |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12Ohm @ 10mA, 4V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 1µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 12pF @ 3V |
| Power - Max | 150mW |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 6-SMD, Flat Leads |
| Supplier Device Package | SMini6-F3-B |
FC6546010R 松下FET、MOSFET 阵列 - 规格参数与选型指南
FC6546010R 是由 松下 制造的 FET、MOSFET 阵列 类电子元器件。MOSFET 2N-CH 60V 0.1A SMINI6-F3。该器件的核心参数包括：Product Status: Obsolete、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: 2 N-Channel (Dual)、FET Feature: Logic Level Gate、Drain to Source Voltage (Vdss): 60V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA。
FC6546010R 共有 14 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（12Ohm @ 10mA, 4V）、Vgs(th) (Max) @ Id（1.5V @ 1µA）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（12pF @ 3V）、Power - Max（150mW）、Operating Temperature（150°C (TJ)） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。
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