规格参数
| Product Status | Obsolete |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuration | 4 N-Channel (Half Bridge) |
| FET Feature | Super Junction |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 900V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 120mOhm @ 26A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 3mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 270nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6800pF @ 100V |
| Power - Max | 250W |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Package / Case | SP2 |
| Supplier Device Package | SP2 |
美高森美 FET、MOSFET 阵列 产品 APTC90H12T2G产品描述
APTC90H12T2G 是由 美高森美 制造的 FET、MOSFET 阵列 类电子元器件。MOSFET 4N-CH 900V 30A SP2。该器件的核心参数包括：Product Status: Obsolete、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: 4 N-Channel (Half Bridge)、FET Feature: Super Junction、Drain to Source Voltage (Vdss): 900V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A。
APTC90H12T2G 共有 15 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（120mOhm @ 26A, 10V）、Vgs(th) (Max) @ Id（3.5V @ 3mA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（270nC @ 10V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（6800pF @ 100V）、Power - Max（250W） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 美高森美：**美高森美 (Microsemi)：高性能半导体解决方案的行业领导者**
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