| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Product Status | Obsolete |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuration | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET Feature | Super Junction |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 900V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 59A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60mOhm @ 52A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 6mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 540nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 13600pF @ 100V |
| Power - Max | 462W |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Package / Case | SP1 |
| Supplier Device Package | SP1 |
关于 APTC90AM60T1G
APTC90AM60T1G 是由 微芯科技 制造的 FET、MOSFET 阵列 类电子元器件。MOSFET 2N-CH 900V 59A SP1。该器件的核心参数包括：Product Status: Obsolete、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)、FET Feature: Super Junction、Drain to Source Voltage (Vdss): 900V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A。
APTC90AM60T1G 共有 15 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（60mOhm @ 52A, 10V）、Vgs(th) (Max) @ Id（3.5V @ 6mA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（540nC @ 10V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（13600pF @ 100V）、Power - Max（462W） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。
关于 微芯科技：微芯科技（Microchip Technology Inc.）是一家全球领先的**电子元器件**和**IC芯片**供应商，以其创新的**微控制器**和**模拟半导体**解决方案，赋能全球数以万计的客户实现低风险的产品开发、降低整体系统成本并加速产品上市进程。公司总部位于美国亚利桑那州钱德勒，自成立以来，微芯科技始终致力于提供卓越的技术支持、可靠的交付和高品质的产品，赢得了业界的广泛赞誉。
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