| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Product Status | Obsolete |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuration | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 52A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 108mOhm @ 26A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 2.5mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7600pF @ 25V |
| Power - Max | 568W |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Package / Case | SP3 |
| Supplier Device Package | SP3 |
关于 APTML502UM90R020T3AG
APTML502UM90R020T3AG 是由 美高森美 制造的 FET、MOSFET 阵列 类电子元器件。MOSFET 2N-CH 500V 52A SP3。该器件的核心参数包括：Product Status: Obsolete、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: 2 N-Channel (Dual)、Drain to Source Voltage (Vdss): 500V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A、Rds On (Max) @ Id, Vgs: 108mOhm @ 26A, 10V。
APTML502UM90R020T3AG 共有 13 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Vgs(th) (Max) @ Id（4V @ 2.5mA）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（7600pF @ 25V）、Power - Max（568W）、Operating Temperature（-40°C ~ 150°C (TJ)）、Mounting Type（Chassis Mount） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。
关于 美高森美：**美高森美 (Microsemi)：高性能半导体解决方案的行业领导者**
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