| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Product Status | Obsolete |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuration | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET Feature | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10.4A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.9mOhm @ 10.4A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 31nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2230pF @ 50V |
| Power - Max | 2.2W |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 8-PowerWDFN |
| Supplier Device Package | Power56 |
关于 FDMD85100
FDMD85100 是由 安森美 制造的 FET、MOSFET 阵列 类电子元器件。MOSFET 2N-CH 100V。该器件的核心参数包括：Product Status: Obsolete、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)、Drain to Source Voltage (Vdss): 100V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.4A、Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.9mOhm @ 10.4A, 10V。
FDMD85100 共有 14 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Vgs(th) (Max) @ Id（4V @ 250µA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（31nC @ 10V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（2230pF @ 50V）、Power - Max（2.2W）、Operating Temperature（-55°C ~ 150°C (TJ)） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
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