| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Product Status | Active |
| Technology | Silicon Carbide (SiC) |
| Configuration | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 337A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11mOhm @ 180A, 20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 9mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1224nC @ 20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 23000pF @ 1000V |
| Power - Max | - |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Package / Case | Module |
| Supplier Device Package | Module |
关于 APTSM120AM09CD3AG
APTSM120AM09CD3AG 是由 美高森美 制造的 FET、MOSFET 阵列 类电子元器件。MOSFET 2 N-CH 1200V 337A MODULE。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、Technology: Silicon Carbide (SiC)、Configuration: 2 N-Channel (Dual)、Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 337A (Tc)、Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 180A, 20V。
APTSM120AM09CD3AG 共有 13 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Vgs(th) (Max) @ Id（3V @ 9mA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（1224nC @ 20V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（23000pF @ 1000V）、Operating Temperature（-40°C ~ 175°C (TJ)）、Mounting Type（Chassis Mount） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。
关于 美高森美：**美高森美 (Microsemi)：高性能半导体解决方案的行业领导者**
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新闻资讯
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