| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Product Status | Obsolete |
| Technology | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Configuration | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET Feature | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 70A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 34mOhm @ 30A, 8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 28nC @ 8V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2260pF @ 100V |
| Power - Max | 470W |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | Module |
| Supplier Device Package | Module |
关于 TPD3215M
TPD3215M 是由 Transphorm 制造的 FET、MOSFET 阵列 类电子元器件。GANFET 2N-CH 600V 70A MODULE。该器件的核心参数包括：Product Status: Obsolete、Technology: GaNFET (Gallium Nitride)、Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)、Drain to Source Voltage (Vdss): 600V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)、Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 30A, 8V。
TPD3215M 共有 13 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（28nC @ 8V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（2260pF @ 100V）、Power - Max（470W）、Operating Temperature（-40°C ~ 150°C (TJ)）、Mounting Type（Through Hole） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 Transphorm：Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN) is a global leader in the design and manufacturing of high performance, high reliability GaN semiconductors for high voltage power conversion systems. With the largest Power GaN IP portfolio of 1,000+ patents, Transphorm produces the industry’s most comprehensive GaN ...
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新闻资讯
Transphorm FET、MOSFET 阵列 产品 TPD3215M
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