APTSM120TAM33CTPAG 美高森美FET、MOSFET 阵列
美高森美 APTSM120TAM33CTPAG FET、MOSFET 阵列
APTSM120TAM33CTPAG是美高森美旗下的FET、MOSFET 阵列 产品，深圳凌创辉电子有限公司提供APTSM120TAM33CTPAG现货库存与价格报价查询。我们可为您提供APTSM120TAM33CTPAG datasheet数据手册下载、规格参数查阅及替代型号推荐，原装正品保障，支持批量采购与在线询价，发货速度快。
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规格参数
| Product Status | Active |
| Technology | Silicon Carbide (SiC) |
| Configuration | 6 N-Channel (3-Phase Bridge) |
| FET Feature | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 112A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 33mOhm @ 60A, 20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 3mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 408nC @ 20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7680pF @ 1000V |
| Power - Max | 714W |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Package / Case | SP6 |
| Supplier Device Package | SP6 |
APTSM120TAM33CTPAG 美高森美FET、MOSFET 阵列 - 规格参数与选型指南
APTSM120TAM33CTPAG 是由 美高森美 制造的 FET、MOSFET 阵列 类电子元器件。POWER MODULE - SIC。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、Technology: Silicon Carbide (SiC)、Configuration: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)、Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 112A (Tc)、Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 60A, 20V。
APTSM120TAM33CTPAG 共有 14 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Vgs(th) (Max) @ Id（3V @ 3mA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（408nC @ 20V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（7680pF @ 1000V）、Power - Max（714W）、Operating Temperature（-40°C ~ 175°C (TJ)） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。
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