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AO5804EL

¥0.00
FET、MOSFET 阵列
万国半导体

MOSFET N-CH SC89-3

参数名称参数值
Product StatusObsolete
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Configuration2 N-Channel (Dual)
FET Feature-
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C500mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs550mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds45pF @ 10V
Power - Max280mW
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Package / CaseSOT-563, SOT-666
Supplier Device PackageSC-89-6

关于 AO5804EL

AO5804EL 是由 万国半导体 制造的 FET、MOSFET 阵列 类电子元器件。MOSFET N-CH SC89-3。该器件的核心参数包括:Product Status: Obsolete、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: 2 N-Channel (Dual)、Drain to Source Voltage (Vdss): 20V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA、Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 500mA, 4.5V。

AO5804EL 共有 14 项技术参数,涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Vgs(th) (Max) @ Id(1V @ 250µA)、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs(1nC @ 4.5V)、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds(45pF @ 10V)、Power - Max(280mW)、Operating Temperature(-55°C ~ 150°C (TJ)) 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。

关于 万国半导体:**万国半导体 (Alpha and Omega Semiconductor, Inc.):赋能高效能源应用的功率半导体先驱**

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新闻资讯

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