FCAB21490L1 松下FET、MOSFET 阵列
松下 FCAB21490L1 FET、MOSFET 阵列
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规格参数
| Product Status | Obsolete |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuration | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | - |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.4V @ 1.11mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 4V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3570pF @ 10V |
| Power - Max | 3.5W (Ta) |
| Operating Temperature | 150°C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 10-SMD, No Lead |
| Supplier Device Package | 10-SMD |
FCAB21490L1 松下FET、MOSFET 阵列 - 规格参数与选型指南
FCAB21490L1 是由 松下 制造的 FET、MOSFET 阵列 类电子元器件。MOSFET 2 N-CHANNEL 10SMD。该器件的核心参数包括：Product Status: Obsolete、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: 2 N-Channel (Dual)、Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 1.11mA、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 4V、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3570pF @ 10V。
FCAB21490L1 共有 11 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Power - Max（3.5W (Ta)）、Operating Temperature（150°C）、Mounting Type（Surface Mount）、Package / Case（10-SMD, No Lead）、Supplier Device Package（10-SMD） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。
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