| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Product Status | Active |
| Technology | Silicon Carbide (SiC) |
| Configuration | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 26A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 98mOhm @ 20A, 20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 5mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 62nC @ 20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 950pF @ 1000V |
| Power - Max | 125W |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Package / Case | Module |
| Supplier Device Package | SP3 |
关于 APTMC120HR11CT3AG
APTMC120HR11CT3AG 是由 微芯科技 制造的 FET、MOSFET 阵列 类电子元器件。POWER MODULE - SIC MOSFET。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、Technology: Silicon Carbide (SiC)、Configuration: 2 N-Channel (Dual)、Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)、Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 20A, 20V。
APTMC120HR11CT3AG 共有 14 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Vgs(th) (Max) @ Id（3V @ 5mA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（62nC @ 20V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（950pF @ 1000V）、Power - Max（125W）、Operating Temperature（-40°C ~ 150°C (TJ)） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 微芯科技：微芯科技（Microchip Technology Inc.）是一家全球领先的**电子元器件**和**IC芯片**供应商，以其创新的**微控制器**和**模拟半导体**解决方案，赋能全球数以万计的客户实现低风险的产品开发、降低整体系统成本并加速产品上市进程。公司总部位于美国亚利桑那州钱德勒，自成立以来，微芯科技始终致力于提供卓越的技术支持、可靠的交付和高品质的产品，赢得了业界的广泛赞誉。
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APTMC120HR11CT3AG 是由 微芯科技 制造的 FET、MOSFET 阵列 类电子元器件。深圳凌创辉电子有限公司作为专业的电子元器件分销商，提供该产品的原装正品现货，确保品质可靠、来源可追溯。
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新闻资讯
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