| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Product Status | Obsolete |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuration | N and P-Channel |
| FET Feature | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.4A (Ta), 2.3A (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60mOhm @ 3A, 10V, 135mOhm @ 2.3A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.34nC @ 4.5V, 4.8nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 390pF @ 15V, 409pF @ 15V |
| Power - Max | 1.15W |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SC-74, SOT-457 |
| Supplier Device Package | 6-TSOP |
关于 AO6601L
AO6601L 是由 万国半导体 制造的 FET、MOSFET 阵列 类电子元器件。MOSFET P-CH 30V 6TSOP。该器件的核心参数包括：Product Status: Obsolete、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: N and P-Channel、Drain to Source Voltage (Vdss): 30V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta), 2.3A (Ta)、Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3A, 10V, 135mOhm @ 2.3A, 10V。
AO6601L 共有 14 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Vgs(th) (Max) @ Id（1.4V @ 250µA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（4.34nC @ 4.5V, 4.8nC @ 4.5V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（390pF @ 15V, 409pF @ 15V）、Power - Max（1.15W）、Operating Temperature（-55°C ~ 150°C (TJ)） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。
关于 万国半导体：**万国半导体 (Alpha and Omega Semiconductor, Inc.)：赋能高效能源应用的功率半导体先驱**
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