BUK9MGP-55PTS,518 NexperiaFET、MOSFET 阵列
Nexperia BUK9MGP-55PTS,518 FET、MOSFET 阵列
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规格参数
| Product Status | Obsolete |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuration | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 16.9A (Tc), 9.16A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9mOhm @ 10A, 10V, 22.6mOhm @ 5A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 54nC @ 5V, 23nC @ 5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5178pF @ 25V, 2315pF @ 25V |
| Power - Max | 5.2W (Tc), 3.9W (Tc) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
| Supplier Device Package | 20-SO |
BUK9MGP-55PTS,518 NexperiaFET、MOSFET 阵列 - 规格参数与选型指南
BUK9MGP-55PTS,518 是由 Nexperia 制造的 FET、MOSFET 阵列 类电子元器件。9648 MISC TRENCHFET。该器件的核心参数包括：Product Status: Obsolete、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: 2 N-Channel (Dual)、FET Feature: Logic Level Gate、Drain to Source Voltage (Vdss): 55V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.9A (Tc), 9.16A (Tc)。
BUK9MGP-55PTS,518 共有 15 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（9mOhm @ 10A, 10V, 22.6mOhm @ 5A, 10V）、Vgs(th) (Max) @ Id（2V @ 1mA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（54nC @ 5V, 23nC @ 5V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（5178pF @ 25V, 2315pF @ 25V）、Power - Max（5.2W (Tc), 3.9W (Tc)） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。
关于 Nexperia：Nexperia（中文名：Nexperia）是全球领先的、专注于大批量生产关键半导体的专家。作为电子元器件领域不可或缺的组成部分，Nexperia提供的各类电子元件是每一项电子设计得以实现的基础。公司拥有丰富的产品组合，涵盖了二极管、双极晶体管、ESD（静电放电）保护器件、MOSFETs、GaN（氮化镓）FETs以及模拟与逻辑IC芯片等核心电子产品。
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