| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Product Status | Obsolete |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuration | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
| FET Feature | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 19A (Ta), 69A (Tc), 38A (Ta), 165A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.25mOhm @ 19A, 10V, 920µOhm @ 38A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 320µA, 3V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 10V, 104nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1370pF @ 13V, 5105pF @ 13V |
| Power - Max | 2.1W (Ta), 26W (Tc), 2.3W (Ta), 42W (Tc) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 8-PowerWDFN |
| Supplier Device Package | 8-PQFN (5x6) |
关于 FDMS001N025DSD
FDMS001N025DSD 是由 安森美 制造的 FET、MOSFET 阵列 类电子元器件。MOSFET 2N-CH 25V 8PQFN。该器件的核心参数包括：Product Status: Obsolete、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical、Drain to Source Voltage (Vdss): 25V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 69A (Tc), 38A (Ta), 165A (Tc)、Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.25mOhm @ 19A, 10V, 920µOhm @ 38A, 10V。
FDMS001N025DSD 共有 14 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Vgs(th) (Max) @ Id（2.5V @ 320µA, 3V @ 1mA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（30nC @ 10V, 104nC @ 10V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（1370pF @ 13V, 5105pF @ 13V）、Power - Max（2.1W (Ta), 26W (Tc), 2.3W (Ta), 42W (Tc)）、Operating Temperature（-55°C ~ 150°C (TJ)） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 安森美：安森美（onsemi）作为全球领先的能源高效创新驱动者，致力于赋能客户实现全球能源消耗的降低。公司凭借深厚的技术积淀和前瞻性的战略布局，为全球设计工程师提供全面、领先的**电子元器件**解决方案。安森美的主营产品线涵盖了广泛的**电子元件**类别，包括但不限于高性能的能源高效电源管理**IC芯片**、信号管理**IC芯片**、逻辑器件、分立器件以及定制化解决方案。这些**元器件**是现代电子产品不可或缺的组成部分，安森美通过其丰富的产品组合，有效应对客户在各种复杂设计挑战中遇到的难题。
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FDMS001N025DSD 是由 安森美 制造的 FET、MOSFET 阵列 类电子元器件。深圳凌创辉电子有限公司作为专业的电子元器件分销商，提供该产品的原装正品现货，确保品质可靠、来源可追溯。
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