| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Product Status | Obsolete |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuration | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature | Logic Level Gate, 4.5V Drive |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.8A (Ta), 7.6A (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18mOhm @ 9A, 10V, 9mOhm @ 9A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3nC @ 4.5V, 6.4nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 340pF @ 15V, 730pF @ 15V |
| Power - Max | 700mW (Ta), 860mW (Ta) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Supplier Device Package | PG-WISON-8 |
关于 BSZ0908NDXTMA2
BSZ0908NDXTMA2 是由 英飞凌科技 制造的 FET、MOSFET 阵列 类电子元器件。MOSFET 2N-CH 30V 20A WISON-8。该器件的核心参数包括：Product Status: Obsolete、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: 2 N-Channel (Dual)、FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive、Drain to Source Voltage (Vdss): 30V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Ta), 7.6A (Ta)。
BSZ0908NDXTMA2 共有 15 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（18mOhm @ 9A, 10V, 9mOhm @ 9A, 10V）、Vgs(th) (Max) @ Id（2V @ 250µA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（3nC @ 4.5V, 6.4nC @ 4.5V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（340pF @ 15V, 730pF @ 15V）、Power - Max（700mW (Ta), 860mW (Ta)） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。
关于 英飞凌科技：**英飞凌科技（Infineon Technologies）：驱动未来电子世界的核心力量**
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新闻资讯
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