
CTLDM7003T-M563D BK 中央半导体FET、MOSFET 阵列
中央半导体 CTLDM7003T-M563D BK FET、MOSFET 阵列
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规格参数
| Product Status | Obsolete |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuration | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 50V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 280mA |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5Ohm @ 50mA, 5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 50pF @ 25V |
| Power - Max | 350mW |
| Operating Temperature | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 6-XFDFN Exposed Pad |
| Supplier Device Package | TLM563D |
CTLDM7003T-M563D BK 中央半导体FET、MOSFET 阵列 - 规格参数与选型指南
CTLDM7003T-M563D BK 是由 中央半导体 制造的 FET、MOSFET 阵列 类电子元器件。TRANSISTOR。该器件的核心参数包括:Product Status: Obsolete、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: 2 N-Channel (Dual)、Drain to Source Voltage (Vdss): 50V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280mA、Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 50mA, 5V。
CTLDM7003T-M563D BK 共有 13 项技术参数,涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Vgs(th) (Max) @ Id(1.2V @ 250µA)、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds(50pF @ 25V)、Power - Max(350mW)、Operating Temperature(-65°C ~ 150°C (TJ))、Mounting Type(Surface Mount) 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。
关于 中央半导体:Central Semiconductor,中文名「中央半导体」,自1974年起,便致力于为全球电子产品制造创新型分立式半导体元器件。作为业界资深的电子元件制造商,中央半导体在数十年的发展历程中,凭借其卓越的技术实力和对品质的不懈追求,赢得了广泛的市场认可。其核心产品线涵盖了种类繁多的电子元件,包括但不限于标准及定制化的小信号晶体管、双极功率晶体管、MOSFETs、二极管、整流器、保护器件、限流二极管、桥式整流器、晶闸管,以及前沿的碳化硅(SiC)器件。这些高质量的IC芯片和分立半导体元件,是现代电子设备不可或缺的组成部分。
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