| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Product Status | Active |
| Technology | Silicon Carbide (SiC) |
| Configuration | 4 N-Channel, Common Source |
| FET Feature | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 150A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16mOhm @ 80A, 20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.8V @ 6mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 464nC @ 20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6040pF @ 1000V |
| Power - Max | 560W |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Package / Case | Module |
| Supplier Device Package | - |
关于 MSCSM120DDUM16TBL3NG
MSCSM120DDUM16TBL3NG 是由 微芯科技 制造的 FET、MOSFET 阵列 类电子元器件。PM-MOSFET-SIC-BL3。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、Technology: Silicon Carbide (SiC)、Configuration: 4 N-Channel, Common Source、Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A、Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 80A, 20V。
MSCSM120DDUM16TBL3NG 共有 13 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Vgs(th) (Max) @ Id（2.8V @ 6mA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（464nC @ 20V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（6040pF @ 1000V）、Power - Max（560W）、Operating Temperature（-55°C ~ 175°C (TJ)） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 微芯科技：微芯科技（Microchip Technology Inc.）是一家全球领先的**电子元器件**和**IC芯片**供应商，以其创新的**微控制器**和**模拟半导体**解决方案，赋能全球数以万计的客户实现低风险的产品开发、降低整体系统成本并加速产品上市进程。公司总部位于美国亚利桑那州钱德勒，自成立以来，微芯科技始终致力于提供卓越的技术支持、可靠的交付和高品质的产品，赢得了业界的广泛赞誉。
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MSCSM120DDUM16TBL3NG 是由 微芯科技 制造的 FET、MOSFET 阵列 类电子元器件。深圳凌创辉电子有限公司作为专业的电子元器件分销商，提供该产品的原装正品现货，确保品质可靠、来源可追溯。
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