MCCD2007A-TP 微电子元件公司FET、MOSFET 阵列
微电子元件公司 MCCD2007A-TP FET、MOSFET 阵列
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规格参数
| Product Status | Obsolete |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuration | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20mOhm @ 7A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1150pF @ 10V |
| Power - Max | - |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 6-WFDFN Exposed Pad |
| Supplier Device Package | DFN2030-6 |
MCCD2007A-TP 微电子元件公司FET、MOSFET 阵列 - 规格参数与选型指南
MCCD2007A-TP 是由 微电子元件公司 制造的 FET、MOSFET 阵列 类电子元器件。MOSFET N-CHANNEL MOSFET。该器件的核心参数包括：Product Status: Obsolete、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: 2 N-Channel (Dual)、Drain to Source Voltage (Vdss): 20V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A、Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7A, 10V。
MCCD2007A-TP 共有 13 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Vgs(th) (Max) @ Id（1V @ 250µA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（15nC @ 4.5V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（1150pF @ 10V）、Operating Temperature（-55°C ~ 150°C (TJ)）、Mounting Type（Surface Mount） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。
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