| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Product Status | Obsolete |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuration | 2 N-Channel |
| FET Feature | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 40A (Ta), 85A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.3mOhm @ 20A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 60nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3350pF @ 20V |
| Power - Max | 6.2W (Ta), 68W (Tc), 6.2W (Ta), 65W (Tc) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Supplier Device Package | 8-DFN (8x5) |
关于 AOMU66414Q
AOMU66414Q 是由 万国半导体 制造的 FET、MOSFET 阵列 类电子元器件。DUAL N。该器件的核心参数包括：Product Status: Obsolete、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: 2 N-Channel、FET Feature: Standard、Drain to Source Voltage (Vdss): 40V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 85A (Tc)。
AOMU66414Q 共有 15 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（2.3mOhm @ 20A, 10V）、Vgs(th) (Max) @ Id（2.4V @ 250µA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（60nC @ 10V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（3350pF @ 20V）、Power - Max（6.2W (Ta), 68W (Tc), 6.2W (Ta), 65W (Tc)） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 万国半导体：**万国半导体 (Alpha and Omega Semiconductor, Inc.)：赋能高效能源应用的功率半导体先驱**
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