
DI006H03SQ 泰迪半导体FET、MOSFET 阵列
泰迪半导体 DI006H03SQ FET、MOSFET 阵列
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规格参数
| Product Status | Active |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuration | 2 N and 2 P-Channel (Half Bridge) |
| FET Feature | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A (Ta), 4.2A (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25mOhm @ 5A, 10V, 50mOhm @ 5A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11.7nC @ 10V, 11.4nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 590pF @ 15V, 631pF @ 15V |
| Power - Max | 1.5W (Ta) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Supplier Device Package | 8-SO |
DI006H03SQ 泰迪半导体FET、MOSFET 阵列 - 规格参数与选型指南
DI006H03SQ 是由 泰迪半导体 制造的 FET、MOSFET 阵列 类电子元器件。MOSFET, SO-8, 30V, 6A, 150C, 0。该器件的核心参数包括:Product Status: Active、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Half Bridge)、FET Feature: Standard、Drain to Source Voltage (Vdss): 30V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 4.2A (Ta)。
DI006H03SQ 共有 15 项技术参数,涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs(25mOhm @ 5A, 10V, 50mOhm @ 5A, 10V)、Vgs(th) (Max) @ Id(2V @ 250µA)、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs(11.7nC @ 10V, 11.4nC @ 10V)、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds(590pF @ 15V, 631pF @ 15V)、Power - Max(1.5W (Ta)) 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。
关于 泰迪半导体:**泰迪半导体(Diotec Semiconductor):深耕半导体领域,提供全方位解决方案的行业专家**
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