| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Product Status | Active |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuration | 2 P-Channel |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.7A (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 75mOhm @ 5A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.5nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 525pF @ 30V |
| Power - Max | 3W (Ta) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Supplier Device Package | 8-SO |
关于 DI4A7P06SQ2
DI4A7P06SQ2 是由 泰迪半导体 制造的 FET、MOSFET 阵列 类电子元器件。MOSFET, SO-8, -60V, -4.7A, 150C。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: 2 P-Channel、FET Feature: Logic Level Gate、Drain to Source Voltage (Vdss): 60V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta)。
DI4A7P06SQ2 共有 15 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（75mOhm @ 5A, 10V）、Vgs(th) (Max) @ Id（2.3V @ 250µA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（8.5nC @ 10V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（525pF @ 30V）、Power - Max（3W (Ta)） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 泰迪半导体：**泰迪半导体（Diotec Semiconductor）：深耕半导体领域，提供全方位解决方案的行业专家**
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新闻资讯
泰迪半导体 FET、MOSFET 阵列 产品 DI4A7P06SQ2
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