DI0A4N45SQ2 泰迪半导体FET、MOSFET 阵列
泰迪半导体 DI0A4N45SQ2 FET、MOSFET 阵列
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规格参数
| Product Status | Active |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuration | 2 N-Channel |
| FET Feature | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 450V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 400mA (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.5Ohm @ 400mA, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 160pF @ 25V |
| Power - Max | 2W (Ta) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Supplier Device Package | 8-SO |
DI0A4N45SQ2 泰迪半导体FET、MOSFET 阵列 - 规格参数与选型指南
DI0A4N45SQ2 是由 泰迪半导体 制造的 FET、MOSFET 阵列 类电子元器件。MOSFET, SO-8, 450V, 0.4A, 150C,。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: 2 N-Channel、FET Feature: Standard、Drain to Source Voltage (Vdss): 450V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)。
DI0A4N45SQ2 共有 15 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（4.5Ohm @ 400mA, 10V）、Vgs(th) (Max) @ Id（4V @ 250µA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（7nC @ 10V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（160pF @ 25V）、Power - Max（2W (Ta)） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。
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