DI005N06SQ2 泰迪半导体FET、MOSFET 阵列
泰迪半导体 DI005N06SQ2 FET、MOSFET 阵列
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规格参数
| Product Status | Active |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuration | 2 N-Channel |
| FET Feature | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5A (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40mOhm @ 4.5A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1295pF @ 25V |
| Power - Max | 1.3W (Ta) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Supplier Device Package | 8-SO |
DI005N06SQ2 泰迪半导体FET、MOSFET 阵列 - 规格参数与选型指南
DI005N06SQ2 是由 泰迪半导体 制造的 FET、MOSFET 阵列 类电子元器件。MOSFET, SO-8, 60V, 5A, 150C, 0。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: 2 N-Channel、FET Feature: Standard、Drain to Source Voltage (Vdss): 60V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)。
DI005N06SQ2 共有 15 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（40mOhm @ 4.5A, 10V）、Vgs(th) (Max) @ Id（3V @ 250µA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（22nC @ 10V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（1295pF @ 25V）、Power - Max（1.3W (Ta)） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。
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