| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Product Status | Active |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500 mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 12 V |
| Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 4.7 kOhms |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 115 @ 100mA, 2V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| Frequency - Transition | 260 MHz |
| Power - Max | 150 mW |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SC-75, SOT-416 |
| Supplier Device Package | EMT3 |
关于 DTD543EETL
DTD543EETL 是由 ROHM Semiconductor 制造的 单个预偏置双极晶体管 类电子元器件。TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、Transistor Type: NPN - Pre-Biased、Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V、Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms、Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms。
DTD543EETL 共有 14 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce（115 @ 100mA, 2V）、Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic（300mV @ 2.5mA, 50mA）、Current - Collector Cutoff (Max)（500nA）、Frequency - Transition（260 MHz）、Power - Max（150 mW） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 ROHM Semiconductor：ROHM was established in Kyoto, Japan, in 1958. ROHM designs and manufactures semiconductors, integrated circuits and other electronic components. These components find a home in the dynamic and ever-growing wireless, computer, automotive and consumer electronics markets. Some of the most innovative ...
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新闻资讯
ROHM Semiconductor 单个预偏置双极晶体管 产品 DTD543EETL
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