
| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Product Status | Active |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
| Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 4.7 kOhms |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 10mA, 5V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | - |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| Frequency - Transition | 200 MHz |
| Power - Max | 200 mW |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
关于 MMBTRC101SS
MMBTRC101SS 是由 泰迪半导体 制造的 单个预偏置双极晶体管 类电子元器件。DIGITAL TR SOT-23 50V 100MA。该器件的核心参数包括:Product Status: Active、Transistor Type: NPN - Pre-Biased、Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V、Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms、Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms。
MMBTRC101SS 共有 13 项技术参数,涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce(30 @ 10mA, 5V)、Current - Collector Cutoff (Max)(500nA)、Frequency - Transition(200 MHz)、Power - Max(200 mW)、Mounting Type(Surface Mount) 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书,获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
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新闻资讯
泰迪半导体 单个预偏置双极晶体管 产品 MMBTRC101SS
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