UNR9210G0L 松下单个预偏置双极晶体管
松下 UNR9210G0L 单个预偏置双极晶体管
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规格参数
| Product Status | Obsolete |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
| Resistor - Base (R1) | 47 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | - |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 160 @ 5mA, 10V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| Frequency - Transition | 150 MHz |
| Power - Max | 125 mW |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SC-89, SOT-490 |
| Supplier Device Package | SSMini3-F3 |
UNR9210G0L 松下单个预偏置双极晶体管 - 规格参数与选型指南
UNR9210G0L 是由 松下 制造的 单个预偏置双极晶体管 类电子元器件。TRANS PREBIAS NPN 125MW SSMINI3。该器件的核心参数包括：Product Status: Obsolete、Transistor Type: NPN - Pre-Biased、Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V、Resistor - Base (R1): 47 kOhms、DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V。
UNR9210G0L 共有 13 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic（250mV @ 300µA, 10mA）、Current - Collector Cutoff (Max)（500nA）、Frequency - Transition（150 MHz）、Power - Max（125 mW）、Mounting Type（Surface Mount） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。
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