| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Product Status | Obsolete |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
| Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 5mA, 5V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 100mV @ 250µA, 5mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA |
| Frequency - Transition | - |
| Power - Max | 500 mW |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
| Supplier Device Package | TO-92-3 |
关于 PDTA114YS,126
PDTA114YS,126 是由 恩智浦半导体 制造的 单个预偏置双极晶体管 类电子元器件。TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3。该器件的核心参数包括：Product Status: Obsolete、Transistor Type: PNP - Pre-Biased、Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V、Resistor - Base (R1): 10 kOhms、Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms。
PDTA114YS,126 共有 13 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce（100 @ 5mA, 5V）、Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic（100mV @ 250µA, 5mA）、Current - Collector Cutoff (Max)（1µA）、Power - Max（500 mW）、Mounting Type（Through Hole） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。
关于 恩智浦半导体：**恩智浦半导体（NXP Semiconductors）：连接未来，驱动智能世界**
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新闻资讯
恩智浦半导体 单个预偏置双极晶体管 产品 PDTA114YS,126
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