
PMBTA44/HV215 恩智浦半导体单双极晶体管
恩智浦半导体 PMBTA44/HV215 单双极晶体管
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规格参数
| Product Status | Active |
| Transistor Type | NPN |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 300 mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 400 V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 750mV @ 5mA, 50mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 10mA, 10V |
| Power - Max | 250 mW |
| Frequency - Transition | 20MHz |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Supplier Device Package | SOT-23 (TO-236AB) |
PMBTA44/HV215 恩智浦半导体单双极晶体管 - 规格参数与选型指南
PMBTA44/HV215 是由 恩智浦半导体 制造的 单双极晶体管 类电子元器件。TRANS NPN 400V 0.3A SOT23。该器件的核心参数包括:Product Status: Active、Transistor Type: NPN、Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V、Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 5mA, 50mA、Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)。
PMBTA44/HV215 共有 13 项技术参数,涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce(50 @ 10mA, 10V)、Power - Max(250 mW)、Frequency - Transition(20MHz)、Operating Temperature(150°C (TJ))、Mounting Type(Surface Mount) 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。
关于 恩智浦半导体:**恩智浦半导体(NXP Semiconductors):连接未来,驱动智能世界**
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