JAN2N1016C 美高森美单双极晶体管
美高森美 JAN2N1016C 单双极晶体管
JAN2N1016C是美高森美旗下的单双极晶体管 产品，深圳凌创辉电子有限公司提供JAN2N1016C现货库存与价格报价查询。我们可为您提供JAN2N1016C datasheet数据手册下载、规格参数查阅及替代型号推荐，原装正品保障，支持批量采购与在线询价，发货速度快。
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规格参数
| Product Status | Active |
| Transistor Type | NPN |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 7.5 A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 150 V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 2.5V @ 1A, 5A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 10 @ 5A, 4V |
| Power - Max | 150 W |
| Frequency - Transition | - |
| Operating Temperature | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | - |
| Package / Case | - |
| Supplier Device Package | TO-82 |
JAN2N1016C 美高森美单双极晶体管 - 规格参数与选型指南
JAN2N1016C 是由 美高森美 制造的 单双极晶体管 类电子元器件。TRANS NPN 150V 7.5A TO82。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、Transistor Type: NPN、Current - Collector (Ic) (Max): 7.5 A、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V、Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 1A, 5A、Current - Collector Cutoff (Max): 1mA。
JAN2N1016C 共有 10 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce（10 @ 5A, 4V）、Power - Max（150 W）、Operating Temperature（-65°C ~ 150°C (TJ)）、Supplier Device Package（TO-82） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。
关于 美高森美：**美高森美 (Microsemi)：高性能半导体解决方案的行业领导者**
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