BLT50,115 恩智浦半导体双极射频晶体管
恩智浦半导体 BLT50,115 双极射频晶体管
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规格参数
| Product Status | Obsolete |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 10V |
| Frequency - Transition | 470MHz |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | - |
| Gain | - |
| Power - Max | 2W |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 25 @ 300mA, 5V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Supplier Device Package | SC-73 |
BLT50,115 恩智浦半导体双极射频晶体管 - 规格参数与选型指南
BLT50,115 是由 恩智浦半导体 制造的 双极射频晶体管 类电子元器件。RF TRANS NPN 10V 470MHZ SOT223。该器件的核心参数包括：Product Status: Obsolete、Transistor Type: NPN、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V、Frequency - Transition: 470MHz、Power - Max: 2W、DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 300mA, 5V。
BLT50,115 共有 11 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Current - Collector (Ic) (Max)（500mA）、Operating Temperature（175°C (TJ)）、Mounting Type（Surface Mount）、Package / Case（TO-261-4, TO-261AA）、Supplier Device Package（SC-73） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。
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