规格参数
| Product Status | Obsolete |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 18V |
| Frequency - Transition | 136MHz ~ 175MHz |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | - |
| Gain | 6dB |
| Power - Max | 270W |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 10 @ 5A, 5V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 20A |
| Operating Temperature | 200°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | M111 |
| Supplier Device Package | M111 |
MS1003 美高森美双极射频晶体管 - 规格参数与选型指南
MS1003 是由 美高森美 制造的 双极射频晶体管 类电子元器件。RF TRANS NPN 18V 175MHZ M111。该器件的核心参数包括：Product Status: Obsolete、Transistor Type: NPN、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 18V、Frequency - Transition: 136MHz ~ 175MHz、Gain: 6dB、Power - Max: 270W。
MS1003 共有 12 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce（10 @ 5A, 5V）、Current - Collector (Ic) (Max)（20A）、Operating Temperature（200°C (TJ)）、Mounting Type（Surface Mount）、Package / Case（M111） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 美高森美：**美高森美 (Microsemi)：高性能半导体解决方案的行业领导者**
MS1003 现货库存充足，可通过深圳凌创辉电子有限公司立即采购。作为 美高森美 代理商和供应商，我们保证所有元器件均为100%原装正品，来源可靠可追溯。我们提供MS1003价格报价查询、datasheet数据手册下载、规格参数查阅及替代型号推荐服务，支持批量采购与在线询价。立即申请报价，获取 MS1003 的最新价格和交期信息。
深圳凌创辉电子有限公司是美高森美代理商，专业供应MS1003等双极射频晶体管 产品。如您需要MS1003的datasheet数据手册、规格参数详情或替代型号信息，欢迎联系我们获取技术支持。
我们提供MS1003现货库存查询与价格报价，支持批量采购与在线询价，原装正品保障，发货速度快。联系方式：0755-83216080 / SALES@LJQ.CC。
