规格参数
| Product Status | Obsolete |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 20V |
| Frequency - Transition | 1.2GHz |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | - |
| Gain | 12dB |
| Power - Max | 2.5W |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 50mA, 15V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 400mA |
| Operating Temperature | - |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
| Supplier Device Package | TO-39 |
2N5109 美高森美双极射频晶体管 - 规格参数与选型指南
2N5109 是由 美高森美 制造的 双极射频晶体管 类电子元器件。RF TRANS NPN 20V 1.2GHZ TO39。该器件的核心参数包括：Product Status: Obsolete、Transistor Type: NPN、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V、Frequency - Transition: 1.2GHz、Gain: 12dB、Power - Max: 2.5W。
2N5109 共有 11 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce（40 @ 50mA, 15V）、Current - Collector (Ic) (Max)（400mA）、Mounting Type（Through Hole）、Package / Case（TO-205AD, TO-39-3 Metal Can）、Supplier Device Package（TO-39） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 美高森美：**美高森美 (Microsemi)：高性能半导体解决方案的行业领导者**
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