规格参数
| Product Status | Obsolete |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 12V |
| Frequency - Transition | 200MHz |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 4.5dB @ 200MHz |
| Gain | 20dB |
| Power - Max | 300mW |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 25 @ 3mA, 1V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 50mA |
| Operating Temperature | - |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-206AF, TO-72-4 Metal Can |
| Supplier Device Package | TO-72 |
2N5179 美高森美双极射频晶体管 - 规格参数与选型指南
2N5179 是由 美高森美 制造的 双极射频晶体管 类电子元器件。RF TRANS NPN 12V 200MHZ TO72。该器件的核心参数包括：Product Status: Obsolete、Transistor Type: NPN、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V、Frequency - Transition: 200MHz、Noise Figure (dB Typ @ f): 4.5dB @ 200MHz、Gain: 20dB。
2N5179 共有 12 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Power - Max（300mW）、DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce（25 @ 3mA, 1V）、Current - Collector (Ic) (Max)（50mA）、Mounting Type（Through Hole）、Package / Case（TO-206AF, TO-72-4 Metal Can） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 美高森美：**美高森美 (Microsemi)：高性能半导体解决方案的行业领导者**
2N5179 现货库存充足，可通过深圳凌创辉电子有限公司立即采购。作为 美高森美 代理商和供应商，我们保证所有元器件均为100%原装正品，来源可靠可追溯。我们提供2N5179价格报价查询、datasheet数据手册下载、规格参数查阅及替代型号推荐服务，支持批量采购与在线询价。立即申请报价，获取 2N5179 的最新价格和交期信息。
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