JAN2N4957 美高森美双极射频晶体管
美高森美 JAN2N4957 双极射频晶体管
JAN2N4957是美高森美旗下的双极射频晶体管 产品，深圳凌创辉电子有限公司提供JAN2N4957现货库存与价格报价查询。我们可为您提供JAN2N4957 datasheet数据手册下载、规格参数查阅及替代型号推荐，原装正品保障，支持批量采购与在线询价，发货速度快。
如需获取JAN2N4957的最新价格或技术支持，请联系我们：0755-83216080 / SALES@LJQ.CC。
规格参数
| Product Status | Discontinued at Digi-Key |
| Transistor Type | PNP |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 30V |
| Frequency - Transition | - |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 3.5dB @ 450MHz |
| Gain | 25dB |
| Power - Max | 200mW |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 10V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 30mA |
| Operating Temperature | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-72-3 Metal Can |
| Supplier Device Package | TO-72 |
JAN2N4957 美高森美双极射频晶体管 - 规格参数与选型指南
JAN2N4957 是由 美高森美 制造的 双极射频晶体管 类电子元器件。RF TRANS PNP 30V 30MA TO72。该器件的核心参数包括：Product Status: Discontinued at Digi-Key、Transistor Type: PNP、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V、Noise Figure (dB Typ @ f): 3.5dB @ 450MHz、Gain: 25dB、Power - Max: 200mW。
JAN2N4957 共有 12 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce（30 @ 5mA, 10V）、Current - Collector (Ic) (Max)（30mA）、Operating Temperature（-65°C ~ 200°C (TJ)）、Mounting Type（Through Hole）、Package / Case（TO-72-3 Metal Can） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。
关于 美高森美：**美高森美 (Microsemi)：高性能半导体解决方案的行业领导者**
JAN2N4957 现货库存充足，可通过深圳凌创辉电子有限公司立即采购。作为 美高森美 代理商和供应商，我们保证所有元器件均为100%原装正品，来源可靠可追溯。我们提供JAN2N4957价格报价查询、datasheet数据手册下载、规格参数查阅及替代型号推荐服务，支持批量采购与在线询价。立即申请报价，获取 JAN2N4957 的最新价格和交期信息。
深圳凌创辉电子有限公司是美高森美代理商，专业供应JAN2N4957等双极射频晶体管 产品。如您需要JAN2N4957的datasheet数据手册、规格参数详情或替代型号信息，欢迎联系我们获取技术支持。
我们提供JAN2N4957现货库存查询与价格报价，支持批量采购与在线询价，原装正品保障，发货速度快。联系方式：0755-83216080 / SALES@LJQ.CC。
