| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Product Status | Obsolete |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 28V |
| Frequency - Transition | - |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | - |
| Gain | 9.5dB |
| Power - Max | 875W |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 10 @ 5A, 5V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 21.6A |
| Operating Temperature | 200°C (TJ) |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Package / Case | 2L-FLG |
| Supplier Device Package | 2L-FLG |
关于 MS2176
MS2176 是由 美高森美 制造的 双极射频晶体管 类电子元器件。TRANSISTOR。该器件的核心参数包括：Product Status: Obsolete、Transistor Type: NPN、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 28V、Gain: 9.5dB、Power - Max: 875W、DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 5A, 5V。
MS2176 共有 11 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Current - Collector (Ic) (Max)（21.6A）、Operating Temperature（200°C (TJ)）、Mounting Type（Chassis Mount）、Package / Case（2L-FLG）、Supplier Device Package（2L-FLG） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 美高森美：**美高森美 (Microsemi)：高性能半导体解决方案的行业领导者**
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MS2176 是由 美高森美 制造的 双极射频晶体管 类电子元器件。深圳凌创辉电子有限公司作为专业的电子元器件分销商，提供该产品的原装正品现货，确保品质可靠、来源可追溯。
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