| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Product Status | Obsolete |
| Transistor Type | PNP |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 20V |
| Frequency - Transition | 600MHz |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | - |
| Gain | - |
| Power - Max | 225mW |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 5mA, 10V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 50mA |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Supplier Device Package | SOT-23 |
关于 MMBTH81_F080
MMBTH81_F080 是由 安森美 制造的 双极射频晶体管 类电子元器件。RF TRANS PNP 20V 600MHZ SOT23。该器件的核心参数包括：Product Status: Obsolete、Transistor Type: PNP、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V、Frequency - Transition: 600MHz、Power - Max: 225mW、DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V。
MMBTH81_F080 共有 11 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Current - Collector (Ic) (Max)（50mA）、Operating Temperature（-55°C ~ 150°C (TJ)）、Mounting Type（Surface Mount）、Package / Case（TO-236-3, SC-59, SOT-23-3）、Supplier Device Package（SOT-23） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。
关于 安森美：安森美（onsemi）作为全球领先的能源高效创新驱动者，致力于赋能客户实现全球能源消耗的降低。公司凭借深厚的技术积淀和前瞻性的战略布局，为全球设计工程师提供全面、领先的**电子元器件**解决方案。安森美的主营产品线涵盖了广泛的**电子元件**类别，包括但不限于高性能的能源高效电源管理**IC芯片**、信号管理**IC芯片**、逻辑器件、分立器件以及定制化解决方案。这些**元器件**是现代电子产品不可或缺的组成部分，安森美通过其丰富的产品组合，有效应对客户在各种复杂设计挑战中遇到的难题。
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