| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Product Status | Obsolete |
| Transistor Type | - |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 65V |
| Frequency - Transition | 1.09GHz |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | - |
| Gain | 6dB |
| Power - Max | 2900W |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 10 @ 1A, 5V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 80A |
| Operating Temperature | 200°C |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Package / Case | 55KV |
| Supplier Device Package | 55KV |
关于 TPR1000A
TPR1000A 是由 美高森美 制造的 双极射频晶体管 类电子元器件。RF TRANS 65V 1.09GHZ 55KV。该器件的核心参数包括：Product Status: Obsolete、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V、Frequency - Transition: 1.09GHz、Gain: 6dB、Power - Max: 2900W、DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 1A, 5V。
TPR1000A 共有 11 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Current - Collector (Ic) (Max)（80A）、Operating Temperature（200°C）、Mounting Type（Chassis Mount）、Package / Case（55KV）、Supplier Device Package（55KV） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。
关于 美高森美：**美高森美 (Microsemi)：高性能半导体解决方案的行业领导者**
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新闻资讯
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