BFU725F,115 恩智浦半导体双极射频晶体管
恩智浦半导体 BFU725F,115 双极射频晶体管
BFU725F,115是恩智浦半导体旗下的双极射频晶体管 产品，深圳凌创辉电子有限公司提供BFU725F,115现货库存与价格报价查询。我们可为您提供BFU725F,115 datasheet数据手册下载、规格参数查阅及替代型号推荐，原装正品保障，支持批量采购与在线询价，发货速度快。
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规格参数
| Product Status | Obsolete |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 2.8V |
| Frequency - Transition | 70GHz |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 0.42dB ~ 1.1dB @ 1.5GHz ~ 12GHz |
| Gain | 10dB ~ 24dB |
| Power - Max | 136mW |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 300 @ 10mA, 2V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 40mA |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-343F |
| Supplier Device Package | 4-DFP |
BFU725F,115 恩智浦半导体双极射频晶体管 - 规格参数与选型指南
BFU725F,115 是由 恩智浦半导体 制造的 双极射频晶体管 类电子元器件。RF TRANS NPN 2.8V 70GHZ 4DFP。该器件的核心参数包括：Product Status: Obsolete、Transistor Type: NPN、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V、Frequency - Transition: 70GHz、Noise Figure (dB Typ @ f): 0.42dB ~ 1.1dB @ 1.5GHz ~ 12GHz、Gain: 10dB ~ 24dB。
BFU725F,115 共有 13 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Power - Max（136mW）、DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce（300 @ 10mA, 2V）、Current - Collector (Ic) (Max)（40mA）、Operating Temperature（150°C (TJ)）、Mounting Type（Surface Mount） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。
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