| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Product Status | Obsolete |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 12V |
| Frequency - Transition | 5GHz |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 1.5dB @ 900MHz |
| Gain | 14dB |
| Power - Max | 250mW |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 20mA, 10V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Supplier Device Package | 3-CP |
关于 2SC3775-4-TB-E
2SC3775-4-TB-E 是由 安森美 制造的 双极射频晶体管 类电子元器件。2SC3775 - NPN EPITAXIAL PLANAR S。该器件的核心参数包括：Product Status: Obsolete、Transistor Type: NPN、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V、Frequency - Transition: 5GHz、Noise Figure (dB Typ @ f): 1.5dB @ 900MHz、Gain: 14dB。
2SC3775-4-TB-E 共有 13 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Power - Max（250mW）、DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce（100 @ 20mA, 10V）、Current - Collector (Ic) (Max)（100mA）、Operating Temperature（150°C (TJ)）、Mounting Type（Surface Mount） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。
关于 安森美：安森美（onsemi）作为全球领先的能源高效创新驱动者，致力于赋能客户实现全球能源消耗的降低。公司凭借深厚的技术积淀和前瞻性的战略布局，为全球设计工程师提供全面、领先的**电子元器件**解决方案。安森美的主营产品线涵盖了广泛的**电子元件**类别，包括但不限于高性能的能源高效电源管理**IC芯片**、信号管理**IC芯片**、逻辑器件、分立器件以及定制化解决方案。这些**元器件**是现代电子产品不可或缺的组成部分，安森美通过其丰富的产品组合，有效应对客户在各种复杂设计挑战中遇到的难题。
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新闻资讯
安森美 双极射频晶体管 产品 2SC3775-4-TB-E
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