| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Product Status | Obsolete |
| Transistor Type | PNP |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 7 A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 400mA, 4A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100µA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 1A, 2V |
| Power - Max | 2 W |
| Frequency - Transition | 10MHz |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Supplier Device Package | TO-220ML |
关于 2SB1135R
2SB1135R 是由 安森美 制造的 单双极晶体管 类电子元器件。2SB1135 - PNP EPITAXIAL PLANAR S。该器件的核心参数包括：Product Status: Obsolete、Transistor Type: PNP、Current - Collector (Ic) (Max): 7 A、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V、Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 400mA, 4A、Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)。
2SB1135R 共有 13 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce（100 @ 1A, 2V）、Power - Max（2 W）、Frequency - Transition（10MHz）、Operating Temperature（150°C (TJ)）、Mounting Type（Through Hole） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。
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安森美 单双极晶体管 产品 2SB1135R
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