规格参数
| Product Status | Active |
| Transistor Type | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
| Resistor - Base (R1) | 4.7kOhms, 22kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47kOhms |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 5V / 100 @ 10mA, 5V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 10mA / 100mV @ 250µA, 5mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA |
| Frequency - Transition | - |
| Power - Max | 300mW |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Supplier Device Package | SOT-666 |
恩智浦半导体 双极晶体管阵列，预偏置 产品 PEMD48,115产品描述
PEMD48,115 是由 恩智浦半导体 制造的 双极晶体管阵列，预偏置 类电子元器件。NOW NEXPERIA PEMD48 - SMALL SIGN。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)、Current - Collector (Ic) (Max): 100mA、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V、Resistor - Base (R1): 4.7kOhms, 22kOhms、Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms。
PEMD48,115 共有 13 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce（80 @ 5mA, 5V / 100 @ 10mA, 5V）、Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic（150mV @ 500µA, 10mA / 100mV @ 250µA, 5mA）、Current - Collector Cutoff (Max)（1µA）、Power - Max（300mW）、Mounting Type（Surface Mount） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 恩智浦半导体：**恩智浦半导体（NXP Semiconductors）：连接未来，驱动智能世界**
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