规格参数
| Product Status | Active |
| Transistor Type | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
| Resistor - Base (R1) | 22kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | - |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 1mA, 5V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 10mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA |
| Frequency - Transition | - |
| Power - Max | 300mW |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Supplier Device Package | SOT-363 |
恩智浦半导体 双极晶体管阵列，预偏置 产品 PUMB19,115产品描述
PUMB19,115 是由 恩智浦半导体 制造的 双极晶体管阵列，预偏置 类电子元器件。NOW NEXPERIA PUMB19 - SMALL SIGN。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)、Current - Collector (Ic) (Max): 100mA、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V、Resistor - Base (R1): 22kOhms、DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V。
PUMB19,115 共有 12 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic（150mV @ 500µA, 10mA）、Current - Collector Cutoff (Max)（1µA）、Power - Max（300mW）、Mounting Type（Surface Mount）、Package / Case（6-TSSOP, SC-88, SOT-363） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 恩智浦半导体：**恩智浦半导体（NXP Semiconductors）：连接未来，驱动智能世界**
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