PRMH9147 恩智浦半导体双极晶体管阵列，预偏置
恩智浦半导体 双极晶体管阵列，预偏置 产品 PRMH9147
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规格参数
| Product Status | Active |
| Transistor Type | 2 NPN - Pre-Biased |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
| Resistor - Base (R1) | 10kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | - |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 5mA, 5V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 100mV @ 250µA, 5mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA |
| Frequency - Transition | 230MHz |
| Power - Max | 325mW |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 6-XFDFN Exposed Pad |
| Supplier Device Package | DFN1412-6 |
恩智浦半导体 双极晶体管阵列，预偏置 产品 PRMH9147产品描述
PRMH9147 是由 恩智浦半导体 制造的 双极晶体管阵列，预偏置 类电子元器件。PRMH9 - 50v, 100mA uPN/NPN Resis。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased、Current - Collector (Ic) (Max): 100mA、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V、Resistor - Base (R1): 10kOhms、DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V。
PRMH9147 共有 13 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic（100mV @ 250µA, 5mA）、Current - Collector Cutoff (Max)（1µA）、Frequency - Transition（230MHz）、Power - Max（325mW）、Mounting Type（Surface Mount） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。
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