| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Product Status | Obsolete |
| Transistor Type | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
| Resistor - Base (R1) | 4.7kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47kOhms |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 5mA, 5V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | - |
| Frequency - Transition | 150MHz |
| Power - Max | 250mW |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Supplier Device Package | PG-SOT363-PO |
关于 BCR 116S E6727
BCR 116S E6727 是由 英飞凌科技 制造的 双极晶体管阵列，预偏置 类电子元器件。TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363。该器件的核心参数包括：Product Status: Obsolete、Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)、Current - Collector (Ic) (Max): 100mA、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V、Resistor - Base (R1): 4.7kOhms、Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms。
BCR 116S E6727 共有 13 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce（70 @ 5mA, 5V）、Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic（300mV @ 500µA, 10mA）、Frequency - Transition（150MHz）、Power - Max（250mW）、Mounting Type（Surface Mount） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 英飞凌科技：**英飞凌科技（Infineon Technologies）：驱动未来电子世界的核心力量**
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BCR 116S E6727 是由 英飞凌科技 制造的 双极晶体管阵列，预偏置 类电子元器件。深圳凌创辉电子有限公司作为专业的电子元器件分销商，提供该产品的原装正品现货，确保品质可靠、来源可追溯。
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新闻资讯
英飞凌科技 双极晶体管阵列，预偏置 产品 BCR 116S E6727
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