| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Product Status | Obsolete |
| Transistor Type | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
| Resistor - Base (R1) | 22kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 22kOhms |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 5mA, 10V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| Frequency - Transition | - |
| Power - Max | 187mW |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Supplier Device Package | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
关于 SSVMUN5312DW1T2G
SSVMUN5312DW1T2G 是由 安森美 制造的 双极晶体管阵列，预偏置 类电子元器件。TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V SC88。该器件的核心参数包括：Product Status: Obsolete、Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)、Current - Collector (Ic) (Max): 100mA、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V、Resistor - Base (R1): 22kOhms、Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms。
SSVMUN5312DW1T2G 共有 13 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce（60 @ 5mA, 10V）、Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic（250mV @ 300µA, 10mA）、Current - Collector Cutoff (Max)（500nA）、Power - Max（187mW）、Mounting Type（Surface Mount） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。
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新闻资讯
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