| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Product Status | Active |
| Transistor Type | 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA, 700mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V, 40V |
| Resistor - Base (R1) | 22kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 22kOhms |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 5mA, 5V / 300 @ 100mA, 5V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 10mA / 310mV @ 100mA, 1A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA, 100nA |
| Frequency - Transition | 150MHz |
| Power - Max | 600mW |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SC-74, SOT-457 |
| Supplier Device Package | 6-TSOP |
关于 PBLS4004D,115
PBLS4004D,115 是由 恩智浦半导体 制造的 双极晶体管阵列，预偏置 类电子元器件。NOW NEXPERIA PBLS4004D - SMALL S。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、Transistor Type: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP、Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, 700mA、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, 40V、Resistor - Base (R1): 22kOhms、Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms。
PBLS4004D,115 共有 14 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce（60 @ 5mA, 5V / 300 @ 100mA, 5V）、Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic（150mV @ 500µA, 10mA / 310mV @ 100mA, 1A）、Current - Collector Cutoff (Max)（1µA, 100nA）、Frequency - Transition（150MHz）、Power - Max（600mW） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 恩智浦半导体：**恩智浦半导体（NXP Semiconductors）：连接未来，驱动智能世界**
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新闻资讯
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