ZXTC2062E6TA 德利通双极晶体管阵列
德利通 ZXTC2062E6TA 双极晶体管阵列
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规格参数
| Product Status | Active |
| Transistor Type | NPN, PNP |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 4A, 3.5A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 20V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 190mV @ 200mA, 4A / 250mV @ 175mA, 3.5A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 50nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 280 @ 1A, 2V / 170 @ 1A, 2V |
| Power - Max | 1.1W |
| Frequency - Transition | 215MHz, 290MHz |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-23-6 |
| Supplier Device Package | SOT-26 |
ZXTC2062E6TA 德利通双极晶体管阵列 - 规格参数与选型指南
ZXTC2062E6TA 是由 德利通 制造的 双极晶体管阵列 类电子元器件。TRANS NPN/PNP 20V 4A/3.5A SOT23。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、Transistor Type: NPN, PNP、Current - Collector (Ic) (Max): 4A, 3.5A、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V、Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 190mV @ 200mA, 4A / 250mV @ 175mA, 3.5A、Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)。
ZXTC2062E6TA 共有 13 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce（280 @ 1A, 2V / 170 @ 1A, 2V）、Power - Max（1.1W）、Frequency - Transition（215MHz, 290MHz）、Operating Temperature（-55°C ~ 150°C (TJ)）、Mounting Type（Surface Mount） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。
关于 德利通：**Diodes Incorporated（德利通）：赋能未来，驱动创新**
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